IXFN200N10P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN200N10P Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥422.732367 +200：￥168.67334 +500：￥163.034868 +1000：￥160.259342	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN200N10P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥146.32569 +10：￥134.977226 +100：￥115.261457	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 235 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 680W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN200N10P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥357.951409 +10：￥330.190059 +100：￥281.960065	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 235 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 680W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN200N10P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B 下载数据手册	+1：￥377.370462 +10：￥347.963195 +30：￥332.233726 +100：￥297.081785	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 235 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 680W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN200N10P 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B 下载数据手册未分类	+10：￥227.369438 +25：￥225.048026 +50：￥222.855581 +100：￥208.669172	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN200N10P Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	Single N-Channel 100 V 680 W 235 nC Chassis Mount Power Mosfet - SOT227B 下载数据手册未分类	+10：￥211.432626 +30：￥209.407962 +50：￥208.54025 +100：￥207.286888 +200：￥205.358638	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFN200N10P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.5 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	235 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7600 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	680W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	SOT-227B
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-55°C # 175°C（TJ）