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搜索 IRF7341GTRPBF 共 9 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7341GTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 5.1A 下载数据手册射频晶体管	+1：￥22.780186 +10：￥19.363146 +30：￥15.946106 +100：￥14.237586 +500：￥13.098613	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7341GTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 5.1A 下载数据手册未分类	+1：￥6.175711 +10：￥5.230449 +30：￥4.757818 +100：￥4.285187 +500：￥4.001609	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7341GTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 5.1A 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.4864	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7341GTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 5.1A 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥4.995169	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7341GTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 5.1A 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥12.219506	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	IRF7341GTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 5.1A 下载数据手册未分类	+4000：￥11.607667 +8000：￥11.171322 +12000：￥10.801418	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Power - Max： 2.4W FET Type： 2 N-Channel (Dual) Drain to Source Voltage (Vdss)： 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 5.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 780pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 50mOhm @ 5.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 44nC @ 10V FET Feature： Standard Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package： 8-SO Part Status： Active
	IRF7341GTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 5.1A 下载数据手册未分类	+1：￥25.717658 +10：￥21.388519 +100：￥17.019377 +500：￥14.40046 +1000：￥12.218604	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Power - Max： 2.4W FET Type： 2 N-Channel (Dual) Drain to Source Voltage (Vdss)： 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 5.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 780pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 50mOhm @ 5.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 44nC @ 10V FET Feature： Standard Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package： 8-SO Part Status： Active
	IRF7341GTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 5.1A 下载数据手册未分类	+1：￥25.717658 +10：￥21.388519 +100：￥17.019377 +500：￥14.40046 +1000：￥12.218604	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Power - Max： 2.4W FET Type： 2 N-Channel (Dual) Drain to Source Voltage (Vdss)： 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 5.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 780pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 50mOhm @ 5.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 44nC @ 10V FET Feature： Standard Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package： 8-SO Part Status： Active

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7341GTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 5.1A 下载数据手册未分类	+1：￥29.409278 +10：￥24.507731 +100：￥19.606186 +250：￥19.279416 +500：￥16.305811	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

IRF7341GTRPBF参数规格

属性	参数值
系列:	HEXFET®
安装类型:	Surface Mount
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
封装/外壳:	8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装:	8-SO