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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH2N170D2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1700V 2A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥203.550707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 欧姆 1A，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3650 pF 10 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 568W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH2N170D2 Zilog 授权代理品牌	IXTH2N170D2 美国力特下载数据手册未分类	+1：￥271.527785 +10：￥209.145497	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH2N170D2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1700V 2A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥321.271343 +30：￥214.318582 +120：￥213.88762	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 欧姆 1A，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3650 pF 10 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 568W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH2N170D2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1700V 2A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥339.423975 +10：￥311.92965 +30：￥299.164429 +120：￥263.48727 +510：￥234.35638	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 欧姆 1A，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3650 pF 10 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 568W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH2N170D2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 1.7KV 2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+300：￥161.376085	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH2N170D2 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	MOSFETs N-channel MOSFET 下载数据手册未分类	+30：￥144.934311 +120：￥142.088475	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTH2N170D2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Depletion
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.5 欧姆 1A，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	110 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3650 pF 10 V
FET 功能:	耗尽模式
功率耗散（最大值）:	568W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247（IXTH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）