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IXYS(艾赛斯.力特) IXTH2N170D2

IXYS(艾赛斯.力特) IXTH2N170D2
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

IXTH2N170D2

制造商:

IXYS (艾赛斯.力特)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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IXTH2N170D2 中文资料

数据手册PDF

IXTH2N170D2 规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标 IXYS

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 1.7 kV

漏极电流 2 A

漏源电阻 6.5 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 4.5 V

栅极电荷 110 nC

耗散功率 568 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

晶体管类型 1 N-Channel

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 6 g

库存: 305

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥321.271343 总价:¥321.27
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 321.271343 321.27
30 214.318582 6429.56
120 213.88762 25666.51
品牌其他型号
IXTH2N170D2品牌厂家:IXYS ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购IXTH2N170D2、查询IXTH2N170D2代理商; IXTH2N170D2价格批发咨询客服;这里拥有 IXTH2N170D2中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 IXTH2N170D2替代型号IXTH2N170D2数据手册PDF