品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： TrenchStop™

零件状态： 停产

IGBT 类型： 沟道

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 12 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，4A

功率 - 最大值： 75 W

开关能量： 90µJ（开），150µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 27 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 14ns/146ns

测试条件： 400V，4A，43 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 43 ns

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： PG-TO252-3

温度： -40°C # 175°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -40°C # 175°C (TJ)

Input Type： Standard

Reverse Recovery Time (trr)： 43 ns

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.1V @ 15V, 4A

Supplier Device Package： PG-TO252-3

IGBT Type： Trench

Td (on/off) @ 25°C： 14ns/146ns

Switching Energy： 90µJ (on), 150µJ (off)

Test Condition： 400V, 4A, 43Ohm, 15V

Gate Charge： 27 nC

Part Status： Obsolete

Current - Collector (Ic) (Max)： 8 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 600 V

Current - Collector Pulsed (Icm)： 12 A

Power - Max： 75 W

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： TrenchStop™

零件状态： 停产

IGBT 类型： 沟道

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 12 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，4A

功率 - 最大值： 75 W

开关能量： 90µJ（开），150µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 27 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 14ns/146ns

测试条件： 400V，4A，43 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 43 ns

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： PG-TO252-3

温度： -40°C # 175°C（TJ）