IKD04N60RFATMA1厂家价格_数据手册

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	IKD04N60RFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥7.397762 +200：￥2.862945 +500：￥2.764599 +1000：￥2.709963	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchStop™ 零件状态：在售 IGBT 类型：沟道电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 12 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V 15V，4A 功率 - 最大值： 75 W 开关能量： 60µJ（开），50µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 27 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 12ns/116ns 测试条件： 400V，4A，43 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 34 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）

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	IKD04N60RFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥10.532324	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchStop™ 零件状态：在售 IGBT 类型：沟道电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 12 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V 15V，4A 功率 - 最大值： 75 W 开关能量： 60µJ（开），50µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 27 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 12ns/116ns 测试条件： 400V，4A，43 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 34 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IKD04N60RFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3 下载数据手册晶体管-IGBT	+2500：￥6.787087 +5000：￥6.303804 +7500：￥6.057802 +12500：￥6.041127	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchStop™ 零件状态：在售 IGBT 类型：沟道电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 12 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V 15V，4A 功率 - 最大值： 75 W 开关能量： 60µJ（开），50µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 27 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 12ns/116ns 测试条件： 400V，4A，43 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 34 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）
IKD04N60RFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥24.936776 +10：￥15.772893 +100：￥10.536171 +500：￥8.291555 +1000：￥7.569001	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchStop™ 工作温度： -40°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IKD04N60RFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥24.936776 +10：￥15.772893 +100：￥10.536171 +500：￥8.291555 +1000：￥7.569001	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： TrenchStop™ 工作温度： -40°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IKD04N60RFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C # 175°C (TJ) Input Type： Standard Reverse Recovery Time (trr)： 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 2.5V @ 15V, 4A Supplier Device Package： PG-TO252-3 IGBT Type： Trench Td (on/off) @ 25°C： 12ns/116ns Switching Energy： 60µJ (on), 50µJ (off) Test Condition： 400V, 4A, 43Ohm, 15V Gate Charge： 27 nC Part Status： Active Current - Collector (Ic) (Max)： 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 600 V Current - Collector Pulsed (Icm)： 12 A Power - Max： 75 W

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IKD04N60RFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥17.412038 +10：￥13.282899 +100：￥10.115565 +500：￥8.158784 +1000：￥7.512051	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： TrenchStop™ 零件状态：在售 IGBT 类型：沟道电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 12 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.5V 15V，4A 功率 - 最大值： 75 W 开关能量： 60µJ（开），50µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 27 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 12ns/116ns 测试条件： 400V，4A，43 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 34 ns 工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥6.353615 +5000：￥6.31492 +10000：￥6.276227 +15000：￥6.235984 +20000：￥6.19729	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IKD04N60RFATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	晶体管, IGBT, 600V, 14.2A, TO-252 下载数据手册未分类	+1：￥9.798681 +10：￥7.608388 +100：￥6.186619 +500：￥5.354052 +1000：￥4.111604	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IKD04N60RFATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	TrenchStop™
零件状态:	在售
IGBT 类型:	沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）:	600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	8 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):	12 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	2.5V 15V，4A
功率 - 最大值:	75 W
开关能量:	60µJ（开），50µJ（关）
输入类型:	标准
栅极电荷:	27 nC
25°C 时 Td（开/关）值:	12ns/116ns
测试条件:	400V，4A，43 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):	34 ns
工作温度:	-40°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装:	PG-TO252-3
温度:	-40°C # 175°C（TJ）