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自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP08N50D2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.131256 +10：￥12.683382 +100：￥10.195933 +500：￥8.377055 +1000：￥6.940995	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 800mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 欧姆 400mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 312 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP08N50D2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.568796 +10：￥31.026912 +100：￥24.941954 +500：￥20.492496 +1000：￥16.979513	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 800mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 欧姆 400mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 312 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP08N50D2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 800mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.6 欧姆 400mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 312 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 60W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTP08N50D2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 下载数据手册未分类	+300：￥14.844764 +500：￥13.189952 +1000：￥12.874409	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTP08N50D2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Depletion
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	800mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.6 欧姆 400mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12.7 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	312 pF 25 V
FET 功能:	耗尽模式
功率耗散（最大值）:	60W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）