IRF630NPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRF630NPBF 共 33 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF630NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.058588 +10：￥1.976893 +100：￥1.780836 +500：￥1.682812	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 575 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 82W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRF630NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.467648 +10：￥1.410318 +100：￥1.272726 +500：￥1.20393	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 575 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 82W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF630NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOS场效应管 IRF630NPBF TO-220 下载数据手册未分类	+1：￥4.751428 +10：￥3.213155 +20：￥2.358653 +50：￥1.709125 +100：￥1.623699	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF630NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.711005 +10：￥2.300331 +50：￥1.643059	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 575 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 82W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF630NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.359742	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 575 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 82W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF630NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥4.614322 +1250：￥4.359702 +4000：￥4.003603	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 575 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 82W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF630NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+250：￥3.844083 +1250：￥3.594861 +2500：￥3.508966 +7500：￥3.266127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 575 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 82W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF630NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥9.737146 +100：￥7.598218 +500：￥6.278614 +1000：￥4.959008 +2000：￥4.62917	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 575 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 82W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF630NPBF 授权代理品牌	IRF630NPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥2.755726 +10：￥2.686964 +50：￥2.6182 +250：￥2.571317 +500：￥2.502554	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF630NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.149355 +50：￥5.728342 +100：￥4.539524 +500：￥3.847998 +1000：￥3.134582	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 575 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 82W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRF630NPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	300 毫欧 5.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	35 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	575 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	82W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF630NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥4.614322 +1250：￥4.359702 +4000：￥4.003603	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 575 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 82W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF630NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+250：￥3.844083 +1250：￥3.594861 +2500：￥3.508966 +7500：￥3.266127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 575 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 82W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF630NPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥9.737146 +100：￥7.598218 +500：￥6.278614 +1000：￥4.959008 +2000：￥4.62917	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 5.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 575 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 82W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF630NPBF 授权代理品牌	IRF630NPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥2.755726 +10：￥2.686964 +50：￥2.6182 +250：￥2.571317 +500：￥2.502554	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数