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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3107PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.722538 +200：￥6.089566 +500：￥5.866777 +1000：￥5.771296	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3107PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.559695	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3107PBF 授权代理品牌	IRFS3107PBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+2：￥6.199198 +20：￥6.040256 +50：￥5.828295 +800：￥5.775275	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3107PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3107PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.550449	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK
	IRFS3107PBF International 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： International Rectifier 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3mOhm 140A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9370 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W (Tc) 工作温度： -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C ~ 175°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3107PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK
	IRFS3107PBF Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： International Rectifier 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3mOhm 140A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9370 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)
	IRFS3107PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥11.319155	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件,散装封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Digi-Key 停止提供 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 毫欧 140A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 240 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9370 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS3107PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK

IRFS3107PBF参数规格

属性	参数值
系列:	HEXFET®
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装:	D2PAK