搜索 IRF9530NSTRLPBF 共 14 条相关记录
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRF9530NSTRLPBF 授权代理品牌 | +1: ¥3.435831 +10: ¥3.374477 +50: ¥3.313123 +100: ¥3.282446 +1000: ¥3.251769 | ||||
IRF9530NSTRLPBF 授权代理品牌 | +800: ¥3.139479 +1600: ¥3.087154 +2400: ¥3.008668 +4000: ¥2.956343 | ||||
IRF9530NSTRLPBF 授权代理品牌 | +800: ¥3.619894 +1600: ¥3.527862 +2400: ¥3.466508 +4000: ¥3.435831 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRF9530NSTRLPBF 授权代理品牌 | 1+: |
自营 国内现货
Digi-Key
IRF9530NSTRLPBF参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 14A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 200 毫欧 8.4A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 58 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 760 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 3.8W(Ta),79W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D2PAK |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |