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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH15N100P VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	TO247 下载数据手册未分类	+10：￥8.237395 +50：￥8.095371 +500：￥7.811323 +5000：￥7.598287 +30000：￥7.101203	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH15N100P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥86.28703 +10：￥77.950825 +100：￥64.536988 +500：￥56.197858 +1000：￥48.946474	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 760 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 97 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 543W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH15N100P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥149.1037 +10：￥134.698766 +100：￥111.5197 +500：￥97.109711 +1000：￥84.579344	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 760 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 97 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 543W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH15N100P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD 下载数据手册未分类	+300：￥121.673128 +510：￥114.543844 +1020：￥106.939273	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 760 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 97 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5140 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 543W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH15N100P 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥146.990659 +5：￥145.707013 +10：￥131.992949 +25：￥125.325845 +50：￥124.173183	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFH15N100P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	760 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	6.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	97 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5140 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	543W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AD（IXFH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）