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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF620_未分类
IRF620
授权代理品牌

5.0A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL

未分类

+1:

¥2.11093

+200:

¥0.816923

+500:

¥0.788184

+1000:

¥0.774088

库存: 1000 +

国内:1~2 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-220-3

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -65°C # 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 70W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-220AB

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

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IRF620_未分类
IRF620
授权代理品牌

IRF620 VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

+10:

¥2.119149

+1000:

¥1.99563

+3000:

¥1.907187

+14000:

¥1.854284

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
IRF620_未分类
IRF620
授权代理品牌

IRF620 ISC/无锡固电半导体

未分类

+10:

¥8.098745

+100:

¥6.07406

+500:

¥4.859247

+1000:

¥4.049372

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
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IRF620

IRF620 TEXAS INSTRUMENTS

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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IRF620_未分类
IRF620
授权代理品牌

5.0A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL

未分类

+1000:

¥2.121001

+5000:

¥2.091481

库存: 1000 +

国内:1~2 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-220-3

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -65°C # 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 70W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-220AB

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

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IRF620_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRF620
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 800 毫欧 3.1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 260 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220AB

封装/外壳: TO-220-3

温度: -65°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF620_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: PowerMESH™ II

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 800 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 70W(Tc)

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220

封装/外壳: TO-220-3

温度: -65°C # 150°C(TJ)

IRF620_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 800 毫欧 3.1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 260 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220AB

封装/外壳: TO-220-3

温度: -65°C # 150°C(TJ)

IRF620_未分类
IRF620
授权代理品牌

5.0A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-220-3

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -65°C # 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 70W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: TO-220AB

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF620_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 800 毫欧 3.1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 260 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 50W(Tc)

工作温度: -65°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220AB

封装/外壳: TO-220-3

温度: -65°C # 150°C(TJ)

IRF620参数规格

属性 参数值
品牌: STMicroelectronics
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: PowerMESH™ II
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 800 毫欧 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 70W(Tc)
工作温度: -65°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
温度: -65°C # 150°C(TJ)