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搜索 IRF620 共 15 条相关记录
自营 现货库存
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IRF620
HARRIS(哈利斯)
授权代理品牌

5.0A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL

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￥2.11093

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￥0.816923

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￥0.788184

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￥0.774088

库存： 1000 +

国内：1~2 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -65°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 800mOhm @ 3A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 70W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-220AB

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 200 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 27 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 350 pF @ 25 V

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRF620_未分类
IRF620
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌

IRF620 VBSEMI/台湾微碧半导体

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￥2.119149

+1000：

￥1.99563

+3000：

￥1.907187

+14000：

￥1.854284

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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IRF620
ISC(无锡固电)
授权代理品牌

IRF620 ISC/无锡固电半导体

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￥8.098745

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￥6.07406

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￥4.859247

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￥4.049372

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国内：1~2 天

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IRF620
Texas Instruments(德州仪器)
授权代理品牌

IRF620 TEXAS INSTRUMENTS

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库存： 1000 +

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IRF620_未分类
IRF620
HARRIS(哈利斯)
授权代理品牌

5.0A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL

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未分类
+1000：

￥2.121001

+5000：

￥2.091481

库存： 1000 +

国内：1~2 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -65°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 800mOhm @ 3A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 70W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-220AB

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 200 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 27 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 350 pF @ 25 V

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRF620_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF620
Vishay(威世)
授权代理品牌
1+:

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 3.1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 260 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 50W（Tc）

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -65°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRF620_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF620
ST(意法半导体)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： STMicroelectronics

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： PowerMESH™ II

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 70W（Tc）

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220

封装/外壳： TO-220-3

温度： -65°C # 150°C（TJ）

IRF620_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF620
Vishay(威世)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 3.1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 260 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 50W（Tc）

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -65°C # 150°C（TJ）

IRF620_未分类
IRF620
HARRIS(哈利斯)
授权代理品牌

5.0A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL

下载数据手册

未分类
1+:

需询价

库存： 1000 +

国内：1~2 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -65°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 800mOhm @ 3A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 70W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-220AB

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 200 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 27 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 350 pF @ 25 V

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRF620_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF620
Vishay(威世)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 800 毫欧 3.1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 260 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 50W（Tc）

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -65°C # 150°C（TJ）

IRF620参数规格

属性 参数值
品牌: STMicroelectronics
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: PowerMESH™ II
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 800 毫欧 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 27 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 350 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 70W（Tc）
工作温度: -65°C # 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
温度: -65°C # 150°C（TJ）