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IXFP34N65X2M_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥23.200928

+10:

¥20.449166

+30:

¥18.810712

+100:

¥17.161755

+500:

¥16.395043

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X2

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 34A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 17A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 1.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3230 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 40W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220 隔离的标片

封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFP34N65X2M_未分类
IXFP34N65X2M
授权代理品牌

MOSFET N-CH 650V 34A TO220

未分类

+1:

¥66.502633

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X2

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 34A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 17A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 1.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3230 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 40W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220 隔离的标片

封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IXFP34N65X2M_未分类
IXFP34N65X2M
授权代理品牌

IXFP34N65X2M LITTELFUSE

未分类

+1000:

¥31.912827

+2000:

¥31.3765

+3000:

¥30.840172

+4000:

¥30.303844

+20000:

¥25.476663

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
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IXFP34N65X2M_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥42.636179

+10:

¥36.550303

+100:

¥30.459755

+500:

¥26.87633

+1000:

¥24.188673

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X2

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 34A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 17A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 1.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3230 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 40W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220 隔离的标片

封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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IXFP34N65X2M_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+300:

¥58.084788

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X2

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 34A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 17A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 1.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3230 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 40W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220 隔离的标片

封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXFP34N65X2M_null
IXFP34N65X2M
授权代理品牌

MOSFET N-CH 650V 34A TO220

+1:

¥121.22095

+10:

¥106.793833

+50:

¥89.050137

+100:

¥87.391847

+250:

¥63.014994

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X2

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 34A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 17A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 1.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3230 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 40W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220 隔离的标片

封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IXFP34N65X2M_未分类
IXFP34N65X2M
授权代理品牌

X2-Class HiperFETTM Power MOSFET

未分类

+300:

¥58.041548

+500:

¥57.499827

+1000:

¥56.942628

+2000:

¥56.416384

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXFP34N65X2M参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Ultra X2
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 34A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3230 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 40W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220 隔离的标片
封装/外壳: TO-220-3 全封装,隔离接片
温度: -55°C # 150°C(TJ)