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IRLS510A_未分类
IRLS510A
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IRLS510A VBSEMI/微碧半导体

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国内:1~2 天

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品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 440 毫欧 2.25A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 235 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 23W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 440 毫欧 2.25A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 235 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 23W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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品牌: onsemi

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 440 毫欧 2.25A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8 nC 5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 235 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 23W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3

封装/外壳: TO-220-3 整包

温度: -55°C # 175°C(TJ)

IRLS510A参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 440 毫欧 2.25A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8 nC 5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 235 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 23W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 整包
温度: -55°C # 175°C(TJ)