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自营 现货库存
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IMH9AT110_晶体管-双极
IMH9AT110
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

晶体管-双极

+1:

¥1.776665

+200:

¥0.708961

+500:

¥0.685249

+1000:

¥0.673557

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IMH9AT110_null
IMH9AT110
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

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¥3.33

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¥1.888128

+1500:

¥1.197072

+3000:

¥0.891792

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度:

自营 国内现货
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IMH9AT110_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

晶体管-双极

+1:

¥2.516839

+10:

¥2.020972

+100:

¥1.375344

+500:

¥1.031787

+1000:

¥0.773811

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IMH9AT110_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

晶体管-双极

+3000:

¥1.323748

+6000:

¥1.243499

+15000:

¥1.16325

+30000:

¥1.135259

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度:

IMH9AT110_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

晶体管-双极

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¥4.565062

+10:

¥3.664062

+100:

¥2.493966

+500:

¥1.870954

+1000:

¥1.403156

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 300mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74, SOT-457

IMH9AT110_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

晶体管-双极

+1:

¥4.565062

+10:

¥3.664062

+100:

¥2.493966

+500:

¥1.870954

+1000:

¥1.403156

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 300mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74, SOT-457

Mouser
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IMH9AT110_未分类
IMH9AT110
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

未分类

+1:

¥6.162248

+10:

¥4.961401

+100:

¥3.381336

+500:

¥2.543904

+1000:

¥1.911879

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度:

IMH9AT110参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 300mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-74,SOT-457
供应商器件封装: SMT6
温度: