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IMB11AT110_晶体管-双极
IMB11AT110
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TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

晶体管-双极

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¥0.653152

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¥0.252762

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¥0.243878

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¥0.239489

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74, SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度:

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IMB11AT110_晶体管-双极
IMB11AT110
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TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

晶体管-双极

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74, SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度:

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IMB11AT110_null
IMB11AT110
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TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

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¥1.812142

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¥1.148921

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¥0.830666

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74, SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度:

自营 国内现货
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IMB11AT110_晶体管-双极
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TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

晶体管-双极

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¥1.244835

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¥0.851592

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74, SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度:

Digi-Key
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IMB11AT110_晶体管-双极
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TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

晶体管-双极

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¥1.100024

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¥1.03896

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¥0.94724

+30000:

¥0.886176

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¥0.794455

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74, SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度:

IMB11AT110_晶体管-双极
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TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

晶体管-双极

+1:

¥4.944484

+10:

¥3.733086

+100:

¥2.322672

+500:

¥1.588909

+1000:

¥1.222277

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 300mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74, SOT-457

IMB11AT110_晶体管-双极
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TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

晶体管-双极

+1:

¥4.944484

+10:

¥3.733086

+100:

¥2.322672

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¥1.588909

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货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 300mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74, SOT-457

Mouser
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IMB11AT110_未分类
IMB11AT110
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未分类

+1:

¥6.286506

+10:

¥4.746313

+100:

¥2.95466

+500:

¥2.027399

+1000:

¥1.555912

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74, SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度:

艾睿
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IMB11AT110_未分类
IMB11AT110
授权代理品牌

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R

未分类

+1:

¥0.204166

+10:

¥0.154401

+25:

¥0.153124

+50:

¥0.151849

+100:

¥0.093152

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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IMB11AT110_未分类
IMB11AT110
授权代理品牌
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¥0.400876

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¥0.383287

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¥0.377731

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货期:7~10 天

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IMB11AT110参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 10kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 10kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 30 5mA, 5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 300mW
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: SC-74, SOT-457
供应商器件封装: SMT6
温度: