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IMB11AT110_晶体管-双极
IMB11AT110
Rohm Semiconductor(罗姆)
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TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

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晶体管-双极
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品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 300mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SC-74, SOT-457

供应商器件封装： SMT6

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晶体管-双极
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品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

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零件状态： Active

晶体管类型： 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 300mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SC-74, SOT-457

供应商器件封装： SMT6

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晶体管-双极
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零件状态： Active

晶体管类型： 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 300mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SC-74, SOT-457

供应商器件封装： SMT6

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TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
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品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

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零件状态： Active

晶体管类型： 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 300mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SC-74, SOT-457

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晶体管-双极
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品牌： Rohm Semiconductor

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 300mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SC-74, SOT-457

供应商器件封装： SMT6

温度：

Digi-Key
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晶体管-双极
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晶体管类型： 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 300mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： SC-74, SOT-457

供应商器件封装： SMT6

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封装/外壳： SC-74, SOT-457

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零件状态： Active

晶体管类型： 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 10kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 300mW

安装类型： Surface Mount

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艾睿
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R

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IMB11AT110参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
电阻器 - 基极 (R1): 10kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 10kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 30 5mA, 5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 300mW
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: SC-74, SOT-457
供应商器件封装: SMT6
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