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	IMD10AT108 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.770946 +10：￥0.711642 +30：￥0.69979	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧，100 欧姆电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V / 68 100mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA / 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz，200MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

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	IMD10AT108 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	三极管(晶体管) IMD10AT108 SC-74 下载数据手册晶体管-双极	+500：￥1.531134 +1000：￥1.145144 +1500：￥0.887777 +3000：￥0.643357 +15000：￥0.578985	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧，100 欧姆电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V / 68 100mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA / 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz，200MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

自营现货库存

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	IMD10AT108 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 下载数据手册晶体管-双极	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧，100 欧姆电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V / 68 100mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA / 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz，200MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

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	IMD10AT108 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.5929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧，100 欧姆电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V / 68 100mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA / 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz，200MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

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	IMD10AT108 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥0.486203 +6000：￥0.4781 +9000：￥0.469996 +12000：￥0.461893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧，100 欧姆电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V / 68 100mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA / 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz，200MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

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	IMD10AT108 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 下载数据手册	+1：￥4.398932 +100：￥2.542678 +1500：￥1.612031 +3000：￥1.165559	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧，100 欧姆电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V / 68 100mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA / 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz，200MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

自营国内现货

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	IMD10AT108 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥0.879796 +6000：￥0.802623 +9000：￥0.763286 +15000：￥0.719009 +21000：￥0.692804	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧，100 欧姆电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V / 68 100mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA / 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz，200MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

Digi-Key

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	IMD10AT108 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥2.152213 +6000：￥1.963429 +9000：￥1.8672 +15000：￥1.758886 +21000：￥1.694784	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧，100 欧姆电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V / 68 100mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 1mA，10mA / 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz，200MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：
	IMD10AT108 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥9.485154 +10：￥5.828781 +100：￥3.728278 +500：￥2.819845 +1000：￥2.526111	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 300mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-74, SOT-457
	IMD10AT108 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥9.485154 +10：￥5.828781 +100：￥3.728278 +500：￥2.819845 +1000：￥2.526111	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 300mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-74, SOT-457

IMD10AT108参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100mA，500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50V
电阻器 - 基极 (R1):	10 千欧，100 欧姆
电阻器 - 发射极 (R2):	10 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	100 1mA，5V / 68 100mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 1mA，10mA / 300mV 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250MHz，200MHz
功率 - 最大值:	300mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-74，SOT-457
供应商器件封装:	SMT6
温度: