IRF540厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRF540 共 12 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF540 ON(安森美) 授权代理品牌	N沟道 100V 28A 下载数据手册未分类	+1：￥5.474562 +200：￥2.11989 +500：￥2.054327 +1000：￥2.010618	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 100V 连续漏极电流(Id)： 28A 功率(Pd)： 150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 77mΩ@17A,10V

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF540 ISC(无锡固电) 授权代理品牌	IRF540 ISC/无锡固电半导体下载数据手册未分类	+10：￥8.995932 +100：￥6.746949 +500：￥5.397559 +1000：￥4.497966	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF540 ON(安森美) 授权代理品牌	IRF540 ON SEMICONDUCTOR 下载数据手册未分类	+1914：￥4.862853	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF540 ON(安森美) 授权代理品牌	IRF540 ON SEMICONDUCTOR 下载数据手册未分类	+500：￥5.525923 +1000：￥5.500223 +5000：￥5.423474	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF540 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 77 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 72 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRF540 授权代理品牌	IRF540 国际整流器下载数据手册未分类	+1：￥1.010172 +2：￥0.929425 +4：￥0.855089	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF540 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 22A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： STripFET™ II 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 77 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 85W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF540 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 77 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 72 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF540 Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+398：￥11.473977	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-220-3 供应商器件封装： TO-220AB
IRF540 ST(意法半导体) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 22A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥13.516346	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： STMicroelectronics 包装：管件封装/外壳： * 系列： STripFET™ II 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 77 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 41 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 870 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 85W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRF540参数规格

属性	参数值
品牌:	STMicroelectronics
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	STripFET™ II
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	77 毫欧 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	41 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	870 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	85W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）