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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IMH10AT110_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

晶体管-双极

+3000:

¥0.502231

+6000:

¥0.480154

+9000:

¥0.415265

+30000:

¥0.407497

+75000:

¥0.33741

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IMH10AT110_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

晶体管-双极

+3000:

¥1.22859

+6000:

¥1.174584

+9000:

¥1.015848

+30000:

¥0.996845

+75000:

¥0.825395

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度:

IMH10AT110_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

晶体管-双极

+1:

¥6.858042

+10:

¥4.772054

+100:

¥2.413175

+500:

¥1.968258

+1000:

¥1.460336

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 300mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74, SOT-457

IMH10AT110_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

晶体管-双极

+1:

¥6.858042

+10:

¥4.772054

+100:

¥2.413175

+500:

¥1.968258

+1000:

¥1.460336

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 300mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74, SOT-457

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IMH10AT110_未分类
IMH10AT110
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

未分类

+1:

¥7.842475

+10:

¥5.457057

+100:

¥2.254713

+1000:

¥1.682865

+3000:

¥1.30708

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度:

IMH10AT110参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 2.2 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): 47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 300mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-74,SOT-457
供应商器件封装: SMT6
温度: