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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | IMH10AT110 授权代理品牌 | +1: ¥7.842475 +10: ¥5.457057 +100: ¥2.254713 +1000: ¥1.682865 +3000: ¥1.30708 |
IMH10AT110参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Rohm Semiconductor |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
晶体管类型: | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 50V |
电阻器 - 基极 (R1): | 2.2 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2): | 47 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 80 10mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 300mV 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值): | 500nA |
频率 - 跃迁: | 250MHz |
功率 - 最大值: | 300mW |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | SC-74,SOT-457 |
供应商器件封装: | SMT6 |
温度: |