品牌： onsemi

包装： 带盒（TB）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.3 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 225 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-92L

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 长体

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Ammo Pack

封装/外壳： TO-92-3

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 200 V

Id-连续漏极电流： 1 A

Rds On-漏源导通电阻： 1.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 4 V

Qg-栅极电荷： 7.2 nC

Pd-功率耗散： 3.1 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 25 ns

高度： 5.33 mm

长度： 5.2 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 35 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 20 ns

典型接通延迟时间： 5.2 ns

宽度： 4.19 mm

零件号别名： IRFNL210BTA_FP001

单位重量： 179 mg

温度： - 55 C~+ 150 C