IXTY1R6N100D2-TRL厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTY1R6N100D2-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 下载数据手册未分类	+25：￥25.997705 +100：￥22.524686 +500：￥19.150989 +1000：￥15.777178 +2500：￥15.28113	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 800mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 645 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXTY1R6N100D2-TRL Littelfuse(力特) 授权代理品牌	IXTY1R6N100D2-TRL LITTELFUSE 下载数据手册未分类	+2500：￥12.601902	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTY1R6N100D2-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥20.884389	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 800mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 645 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXTY1R6N100D2-TRL Littelfuse(力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 下载数据手册未分类	+2500：￥26.354959 +5000：￥25.28482	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 10Ohm @ 800mA, 0V FET Feature： Depletion Mode Power Dissipation (Max)： 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 100µA Supplier Device Package： TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 0V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 645 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTY1R6N100D2-TRL IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 下载数据手册	+1：￥58.703443 +10：￥49.417022 +25：￥46.59793 +100：￥39.964773 +250：￥37.643167	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Depletion 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 1000 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 800mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 645 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTY1R6N100D2-TRL Littelfuse 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥38.10621 +5000：￥37.734745 +10000：￥37.347801 +15000：￥36.976336 +20000：￥36.60487	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTY1R6N100D2-TRL参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Depletion
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.6A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 欧姆 800mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	27 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	645 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	100W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）