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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZA65R072M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥124.968195 +10：￥104.140223 +30：￥83.31213 +100：￥69.426775	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

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	IMZA65R072M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥61.6616	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZA65R072M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥142.888924 +10：￥98.079325 +100：￥72.723425 +500：￥66.357678	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZA65R072M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH 下载数据手册未分类	+1：￥113.593202 +10：￥106.296705 +25：￥94.025323 +100：￥81.25645 +240：￥81.090621	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型： - 供应商器件封装： - 封装/外壳： - 温度： -

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZA65R072M1HXKSA1 授权代理品牌	CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package 下载数据手册未分类	+1：￥213.25991 +10：￥194.563547 +25：￥192.280684 +50：￥189.11709 +100：￥149.079659	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package 下载数据手册未分类	+240：￥79.493953	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package 下载数据手册未分类	+1：￥95.900415 +10：￥95.823025	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥53.248293	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥63.840693	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 650V, 28A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥94.688497 +5：￥86.227929 +10：￥77.75488 +50：￥72.064585 +100：￥66.374292	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IMZA65R072M1HXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	-
技术:	-
漏源电压（Vdss）:	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	-
工作温度:	-
安装类型:	-
供应商器件封装:	-
封装/外壳:	-
温度:	-