IPT020N10N3ATMA1厂家价格_数据手册

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自营现货库存

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	IPT020N10N3ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥117.151262 +10：￥113.162808 +30：￥106.245846 +100：￥100.213993	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 272µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 156 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11200 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPT020N10N3ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥46.137179	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 272µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 156 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11200 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPT020N10N3ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 272µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 156 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11200 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPT020N10N3ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥24.4292	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 272µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 156 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11200 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPT020N10N3ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥59.760296	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 272µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 156 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11200 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPT020N10N3ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥112.903929 +10：￥80.287238 +100：￥61.087451 +500：￥59.760142	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-1
IPT020N10N3ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥112.903929 +10：￥80.287238 +100：￥61.087451 +500：￥59.760142	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-1

Mouser

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	IPT020N10N3ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF 下载数据手册未分类	+1：￥122.381753 +10：￥87.060189 +100：￥66.331573 +500：￥64.839113 +2000：￥63.844139	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2毫欧 150A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 272µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 156 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11200 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-1 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R 下载数据手册未分类	+1：￥112.910158 +10：￥80.066381 +25：￥79.261538 +100：￥73.519294 +250：￥67.77705	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPT020N10N3ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+2000：￥33.916336 +4000：￥32.859455	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPT020N10N3ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2毫欧 150A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 272µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	156 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	11200 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	375W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-HSOF-8-1
封装/外壳:	8-PowerSFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）