IPB020N10N5LFATMA1厂家价格_数据手册

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	IPB020N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥114.185401 +10：￥95.154521 +30：￥76.12352 +100：￥63.436307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.1V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 195 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 313W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPB020N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥55.630732 +10：￥48.899533 +30：￥44.801807 +100：￥41.370644	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.1V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 195 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 313W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPB020N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.855966	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.1V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 195 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 313W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPB020N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.1V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 195 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 313W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPB020N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥58.169237	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.1V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 195 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 313W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPB020N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥110.456147 +10：￥78.527895 +100：￥59.683037 +500：￥58.169084	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™-5 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3
IPB020N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥110.456147 +10：￥78.527895 +100：￥59.683037 +500：￥58.169084	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™-5 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3

Mouser

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	IPB020N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥119.728489 +10：￥85.236071 +100：￥64.839113 +500：￥63.180823 +1000：￥63.014994	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.1V 270µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 195 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 313W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPB020N10N5LFATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥59.5478	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPB020N10N5LFATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥84.026847 +10：￥75.992784 +50：￥67.580648 +100：￥61.53147 +200：￥59.452066	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB020N10N5LFATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™-5
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.1V 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	195 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	840 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	313W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）