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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IXTH110N10L2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 110A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥200.500559	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：散装封装/外壳： * 系列： Linear L2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -
IXTH110N10L2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 110A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥215.85386 +10：￥189.259555 +120：￥189.159562	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：散装封装/外壳： * 系列： Linear L2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -
IXTH110N10L2 Littelfuse(力特) 授权代理品牌	IXTH110N10L2 LITTELFUSE 下载数据手册未分类	+10：￥155.757644 +100：￥131.555104 +500：￥117.031009	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IXTH110N10L2 Littelfuse(力特) 授权代理品牌	IXTH110N10L2 LITTELFUSE 下载数据手册未分类	+1：￥197.784471 +10：￥170.173889 +120：￥170.082102	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IXTH110N10L2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 110A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥229.75537 +10：￥201.448294 +120：￥190.156313	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：散装封装/外壳： * 系列： Linear L2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH110N10L2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 110A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥113.535425 +10：￥104.346872 +100：￥88.12857 +500：￥78.396352	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：散装封装/外壳： * 系列： Linear L2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH110N10L2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 110A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥277.737732 +10：￥255.260097 +100：￥215.585833 +500：￥191.778248	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：散装封装/外壳： * 系列： Linear L2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -

Mouser

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	IXTH110N10L2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 110A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥322.343308 +10：￥292.963924 +30：￥279.18715 +60：￥269.560006 +120：￥250.139735	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：散装封装/外壳： * 系列： Linear L2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH110N10L2 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+300：￥187.672624 +500：￥171.372387 +1000：￥170.107951 +2000：￥168.843514 +2500：￥167.565334	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTH110N10L2参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:	Linear L2™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	18 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	260 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	10500 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	600W（Tc）
工作温度:	-
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247（IXTH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IXTH110N10L2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 110A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥200.500559	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：散装封装/外壳： * 系列： Linear L2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -
IXTH110N10L2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 110A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥215.85386 +10：￥189.259555 +120：￥189.159562	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：散装封装/外壳： * 系列： Linear L2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -
IXTH110N10L2 Littelfuse(力特) 授权代理品牌	IXTH110N10L2 LITTELFUSE 下载数据手册未分类	+10：￥155.757644 +100：￥131.555104 +500：￥117.031009	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IXTH110N10L2 Littelfuse(力特) 授权代理品牌	IXTH110N10L2 LITTELFUSE 下载数据手册未分类	+1：￥197.784471 +10：￥170.173889 +120：￥170.082102	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IXTH110N10L2 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 110A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥229.75537 +10：￥201.448294 +120：￥190.156313	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：散装封装/外壳： * 系列： Linear L2™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 260 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600W（Tc）工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -