IRFB4227PBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRFB4227PBF 共 27 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.72644 +10：￥3.583115 +100：￥3.239135 +500：￥3.067145	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.35935 +10：￥6.99985 +20：￥5.42685 +50：￥3.9325 +100：￥3.735875	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.2379	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）
	IRFB4227PBF IR 授权代理品牌	下载数据手册	+1：￥5.929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFB4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB 下载数据手册未分类	+50：￥41.345288	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）
IRFB4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.045494	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）
IRFB4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.789124 +100：￥6.608882 +500：￥6.548801 +1000：￥6.48872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）
IRFB4227PBF 授权代理品牌	IRFB4227PBF 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+100：￥7.334712 +300：￥7.212467 +500：￥7.029099 +1000：￥6.906854	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFB4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥6.483362	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFB4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.52945 +10：￥18.443214 +100：￥15.11023 +500：￥12.862977 +1000：￥10.848317	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）

IRFB4227PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	65A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	24 毫欧 46A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	98 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4600 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	330W（Tc）
工作温度:	-40°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-40°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFB4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB 下载数据手册未分类	+50：￥41.345288	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）
IRFB4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.045494	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）
IRFB4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.789124 +100：￥6.608882 +500：￥6.548801 +1000：￥6.48872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）
IRFB4227PBF 授权代理品牌	IRFB4227PBF 英飞凌/INFINEON 下载数据手册未分类	+100：￥7.334712 +300：￥7.212467 +500：￥7.029099 +1000：￥6.906854	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFB4227PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥6.483362	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 46A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4600 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330W（Tc）工作温度： -40°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -40°C # 175°C（TJ）