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	IRF2807ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.489721 +10：￥14.3264 +30：￥11.938707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 53A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRF2807ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.490179 +10：￥9.014998 +30：￥8.08618	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 53A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF2807ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.38368	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 53A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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IRF2807ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥8.909589 +50：￥8.553129 +200：￥8.410629 +500：￥8.196776	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 53A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF2807ZPBF Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	IRF2807ZPBF MICROCHIP TECHNOLOGY 下载数据手册未分类	+1000：￥6.459905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF2807ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.563821 +10：￥4.431389 +100：￥4.301504	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 53A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF2807ZPBF 授权代理品牌	IRF2807ZPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥3.907679	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	IRF2807ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.760385 +10：￥10.825458 +100：￥7.444613 +500：￥5.999343 +1000：￥5.534805	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 53A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IRF2807ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.000342 +10：￥26.481938 +100：￥18.211495 +500：￥14.675981 +1000：￥13.539599	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 53A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

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	IRF2807ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥25.703485 +10：￥19.899473 +100：￥15.853246 +250：￥15.836664 +500：￥14.393952	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 53A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRF2807ZPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9.4 毫欧 53A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	110 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3270 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	170W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220AB
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF2807ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB 下载数据手册未分类	+1：￥8.909589 +50：￥8.553129 +200：￥8.410629 +500：￥8.196776	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 53A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF2807ZPBF Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	IRF2807ZPBF MICROCHIP TECHNOLOGY 下载数据手册未分类	+1000：￥6.459905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF2807ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.563821 +10：￥4.431389 +100：￥4.301504	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.4 毫欧 53A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 110 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 170W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220AB 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF2807ZPBF 授权代理品牌	IRF2807ZPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥3.907679	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数