搜索 IXFP3N120 共 4 条相关记录
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | +1： ￥133.863059 +50： ￥80.792093 +100： ￥74.489056 +500： ￥66.344369 |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP3N120 授权代理品牌 | +1： ￥143.110369 +10： ￥136.974699 +50： ￥87.226018 +100： ￥80.261203 +500： ￥71.803928 |
艾睿
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
IXFP3N120 授权代理品牌 | +300： ￥88.579141 +500： ￥87.696909 +1000： ￥86.814678 +2000： ￥85.947924 +2500： ￥85.081171 | 暂无参数 |
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
IXFP3N120 授权代理品牌 | MOSFETs 3 Amps 1200V 4.50 Rds | +50： ￥58.170861 +100： ￥53.499398 +500： ￥47.715677 | 暂无参数 |
IXFP3N120参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | IXYS |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HiPerFET™ |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4.5 欧姆 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V 1.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 39 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1050 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 200W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220-3 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |