耐压： 650V

电流： 20A

类型： N沟道

漏源电压(Vdss)： 650V

连续漏极电流(Id)： 20A

功率(Pd)： 36W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 185mΩ@10A,10V

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4.5V@250uA

品牌： IXYS

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： Ultra X2

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 185 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1450 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 36W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220 隔离的标片

封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tube

Package / Case： TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 185mOhm @ 10A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 36W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-220 Isolated Tab

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±30V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 27 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1450 pF @ 25 V

品牌： IXYS

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： Ultra X2

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 185 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1450 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 36W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220 隔离的标片

封装/外壳： TO-220-3 全封装，隔离接片

温度： -55°C # 150°C（TJ）