品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： CoolSiC™+

零件状态： 在售

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 6A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 6 A

速度： 无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 110 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容： 190pF 1V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 4-PowerTSFN

供应商器件封装： PG-VSON-4

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： CoolSiC™+

零件状态： 在售

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 6A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 6 A

速度： 无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 110 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容： 190pF 1V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 4-PowerTSFN

供应商器件封装： PG-VSON-4

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： CoolSiC™+

零件状态： 在售

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 6A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 6 A

速度： 无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 110 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容： 190pF 1V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 4-PowerTSFN

供应商器件封装： PG-VSON-4

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： CoolSiC™+

零件状态： 在售

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 6A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 6 A

速度： 无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 110 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容： 190pF 1V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 4-PowerTSFN

供应商器件封装： PG-VSON-4

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 4-PowerTSFN

Mounting Type： Surface Mount

Speed： No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)： 0 ns

Technology： SiC (Silicon Carbide) Schottky

Capacitance @ Vr, F： 190pF @ 1V, 1MHz

Current - Average Rectified (Io)： 6A

Supplier Device Package： PG-VSON-4

Operating Temperature - Junction： -55°C # 150°C

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 650 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.7 V @ 6 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 110 µA @ 650 V

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 4-PowerTSFN

Mounting Type： Surface Mount

Speed： No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)： 0 ns

Technology： SiC (Silicon Carbide) Schottky

Capacitance @ Vr, F： 190pF @ 1V, 1MHz

Current - Average Rectified (Io)： 6A

Supplier Device Package： PG-VSON-4

Operating Temperature - Junction： -55°C # 150°C

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 650 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.7 V @ 6 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 110 µA @ 650 V

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 4-PowerTSFN

Mounting Type： Surface Mount

Speed： No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)： 0 ns

Technology： SiC (Silicon Carbide) Schottky

Capacitance @ Vr, F： 190pF @ 1V, 1MHz

Current - Average Rectified (Io)： 6A

Supplier Device Package： PG-VSON-4

Operating Temperature - Junction： -55°C # 150°C

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 650 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.7 V @ 6 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 110 µA @ 650 V

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： CoolSiC™+

零件状态： 在售

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 6A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 6 A

速度： 无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 110 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容： 190pF 1V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 4-PowerTSFN

供应商器件封装： PG-VSON-4

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：