IPW65R041CFDFKSA2厂家价格_数据手册

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	IPW65R041CFDFKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥184.461959 +210：￥153.7184 +510：￥122.97472 +990：￥102.478893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 68.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41 毫欧 33.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPW65R041CFDFKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥105.848327 +200：￥40.961349 +500：￥39.52245 +1000：￥38.818755	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 68.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41 毫欧 33.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPW65R041CFDFKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 68.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41 毫欧 33.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPW65R041CFDFKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 68.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41 毫欧 33.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPW65R041CFDFKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥206.053539 +10：￥181.527505 +100：￥156.998567 +500：￥142.280623 +1000：￥130.505656	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 68.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41 毫欧 33.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPW65R041CFDFKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_LEGACY 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 68.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 41mOhm @ 33.1A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 3.3mA Supplier Device Package： PG-TO247-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 8400 pF @ 100 V

Mouser

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	IPW65R041CFDFKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥235.38311 +10：￥207.495689 +25：￥201.851808 +50：￥190.564041 +100：￥179.442273	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 68.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 41 毫欧 33.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3.3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8400 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPW65R041CFDFKSA2 授权代理品牌	650V CMOS power transistor 下载数据手册未分类	+240：￥171.233612 +250：￥169.524919 +500：￥167.828791 +1000：￥166.145226 +2000：￥164.486789	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPW65R041CFDFKSA2参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ CFD2
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	68.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	41 毫欧 33.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 3.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	300 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8400 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）