IXFN106N20厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN106N20 Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥47.369715 +200：￥18.904177 +500：￥18.270395 +1000：￥17.964432	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN106N20 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥108.604793	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 106A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 380 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 521W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN106N20 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥265.676102	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 106A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 380 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 521W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN106N20 IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B 下载数据手册	+300：￥632.969036	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™ 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 106A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 380 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 521W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： SOT-227B 封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFN106N20 Littelfuse/IXYS 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+10：￥228.208402 +30：￥225.990914 +40：￥225.412439 +100：￥223.580601 +150：￥221.748764	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFN106N20参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	106A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	20 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	380 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	521W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	底座安装
供应商器件封装:	SOT-227B
封装/外壳:	SOT-227-4，miniBLOC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）