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IRF7456TRPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF7456TRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
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￥12.164614

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￥10.339934

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￥8.515254

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￥7.602914

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￥6.994647

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 最后售卖

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 16A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 62 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3640 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 现货库存
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IRF7456TRPBF_未分类
IRF7456TRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 20V 16A 8SO

未分类
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￥6.982526

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￥5.813308

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￥5.223235

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￥4.64409

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￥4.294417

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 最后售卖

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 16A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 62 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3640 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IRF7456TRPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF7456TRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
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￥3.296524

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 最后售卖

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 16A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 62 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3640 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IRF7456TRPBF_未分类
IRF7456TRPBF
UDU SEMICONDUTOR
授权代理品牌
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￥2.388015

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￥1.728169

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￥1.470515

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
IRF7456TRPBF_未分类
IRF7456TRPBF
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌
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￥1.956078

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￥1.922353

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￥1.854902

+5000：

￥1.804313

+30000：

￥1.686274

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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IRF7456TRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 20V 16A 8SO

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未分类
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￥11.317306

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 最后售卖

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 16A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 62 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3640 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7456TRPBF_未分类
IRF7456TRPBF
授权代理品牌

IRF7456TRPBF VBSEMI/微碧半导体

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未分类
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￥3.304903

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￥2.891747

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￥2.375447

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￥2.210138

+4000：

￥2.127484

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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IRF7456TRPBF_未分类
IRF7456TRPBF
JSMSEMI(杰盛微)
授权代理品牌

IRF7456TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微

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未分类
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￥1.402231

+150：

￥1.378963

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￥1.343887

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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IRF7456TRPBF_未分类
IRF7456TRPBF
授权代理品牌

IRF7456TRPBF BYCHIP/百域芯

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未分类
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￥3.550783

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￥3.277583

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￥3.0045

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￥2.731301

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IRF7456TRPBF_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF7456TRPBF
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+4000：

￥3.991487

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： HEXFET®

零件状态： 最后售卖

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.8V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.5 毫欧 16A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 62 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3640 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7456TRPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 最后售卖
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.5 毫欧 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 62 nC 5 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3640 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度: -55°C # 150°C（TJ）