IPB029N06N3GATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB029N06N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.485076 +10：￥16.323384 +30：￥13.60282	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9mOhm 100A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 118µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IPB029N06N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.5657	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9mOhm 100A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 118µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

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	IPB029N06N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥5.963008 +2000：￥5.582396	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9mOhm 100A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 118µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key

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IPB029N06N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥14.587096 +2000：￥13.656021	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9mOhm 100A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 118µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)
IPB029N06N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.754097 +10：￥28.302476 +100：￥19.539417 +500：￥15.791559	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
IPB029N06N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.754097 +10：￥28.302476 +100：￥19.539417 +500：￥15.791559	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

Mouser

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	IPB029N06N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管	+1：￥32.6683 +10：￥22.718564 +100：￥15.704002 +500：￥15.223097 +1000：￥14.791941	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.9mOhm 100A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 118µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 165 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13000 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 188W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)

IPB029N06N3GATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.9mOhm 100A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 118µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	165 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13000 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	188W (Tc)
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C (TJ)