IPAN60R360PFD7SXKSA1厂家价格_数据手册

搜索 IPAN60R360PFD7SXKSA1 共 16 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.875814 +10：￥15.194454 +30：￥12.513094 +100：￥11.172414 +500：￥10.278587	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 534 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.445232 +10：￥17.57105 +30：￥17.057468	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 534 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.356455	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 534 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 534 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.819072 +10：￥6.388472 +100：￥4.966559 +500：￥4.209905 +1000：￥3.429388	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 534 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.127522 +10：￥15.627894 +100：￥12.14952 +500：￥10.298541 +1000：￥8.389191	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 534 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册未分类	+1：￥21.703567 +10：￥17.816361 +100：￥13.880566 +500：￥11.758798 +1000：￥9.588442	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 534 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications 下载数据手册未分类	+1：￥13.51977 +10：￥12.294638 +100：￥10.752394 +500：￥8.784757	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications 下载数据手册未分类	+13：￥5.142765 +100：￥4.86741 +500：￥4.431901	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications 下载数据手册未分类	+11：￥7.443945 +100：￥6.510173 +500：￥5.318843	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPAN60R360PFD7SXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™PFD7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	360 毫欧 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	534 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	23W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-40°C # 150°C（TJ）