IPAN60R360PFD7SXKSA1厂家价格_数据手册

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	IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.445232 +10：￥17.57105 +30：￥17.057468	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 534 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.356455	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 534 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

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	IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 534 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.653837 +10：￥7.887543 +100：￥6.131975 +500：￥5.197769 +1000：￥4.234102	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 534 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.681799 +10：￥13.629648 +100：￥10.596032 +500：￥8.981728 +1000：￥7.316514	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 534 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 下载数据手册未分类	+1：￥21.052435 +10：￥17.281849 +100：￥13.464134 +500：￥11.406021 +1000：￥9.300777	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™PFD7 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 140µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 534 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 23W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220-FP 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications 下载数据手册未分类	+1：￥13.731216 +10：￥12.486923 +100：￥10.920559 +500：￥8.922148	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications 下载数据手册未分类	+13：￥5.044341 +100：￥4.774256 +500：￥4.347081	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFETs complement the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications 下载数据手册未分类	+11：￥7.301479 +100：￥6.38558 +500：￥5.217049	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+1：￥9.759054 +10：￥8.070272	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPAN60R360PFD7SXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™PFD7
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	360 毫欧 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	534 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	23W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220-FP
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-40°C # 150°C（TJ）