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IRLZ44NSTRLPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 48 nC 5 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),110W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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IRLZ44NSTRLPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 48 nC 5 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),110W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D2PAK

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IRLZ44NSTRLPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 48 nC 5 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),110W(Tc)

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安装类型: 表面贴装型

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IRLZ44NSTRLPBF_未分类
IRLZ44NSTRLPBF
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MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

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品牌: Infineon Technologies

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系列: HEXFET®

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V

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不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 48 nC 5 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1700 pF 25 V

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功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),110W(Tc)

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IRLZ44NSTRLPBF
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IRLZ44NSTRLPBF VBSEMI/台湾微碧半导体

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IRLZ44NSTRLPBF
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MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

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系列: HEXFET®

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 25A,10V

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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 48 nC 5 V

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功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),110W(Tc)

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 48 nC 5 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),110W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D2PAK

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FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 48 nC 5 V

Vgs(最大值): ±16V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),110W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D2PAK

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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系列: HEXFET®

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工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

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IRLZ44NSTRLPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 22 毫欧 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 48 nC 5 V
Vgs(最大值): ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1700 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),110W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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