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	IRF530A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.226377 +10：￥17.745886 +30：￥16.281632 +100：￥14.784596 +500：￥14.096178	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF530A IR 授权代理品牌	下载数据手册	+1：￥5.929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF530A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥13.217531	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF530A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+67：￥12.331812 +100：￥9.684504 +500：￥7.928548 +1000：￥6.199098 +10000：￥5.414257	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF530A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.898305 +10：￥12.436114 +100：￥9.766349 +500：￥7.995547 +1000：￥6.251618	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF530A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.12642 +10：￥12.623858 +100：￥9.927344 +500：￥8.143166 +1000：￥6.358865	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF530A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.539392 +10：￥12.447771 +50：￥11.374688 +100：￥9.260669 +200：￥8.659767	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF530A ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥4.615451 +1000：￥4.594151 +5000：￥4.530018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF530A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.051311 +10：￥6.56848 +100：￥5.107081 +500：￥4.328826	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRF530A ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.051311 +10：￥6.56848 +100：￥5.107081 +500：￥4.328826	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRF530A参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	110 毫欧 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36 nC 10 V
Vgs（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	790 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	55W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF530A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥13.217531	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF530A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+67：￥12.331812 +100：￥9.684504 +500：￥7.928548 +1000：￥6.199098 +10000：￥5.414257	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF530A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.898305 +10：￥12.436114 +100：￥9.766349 +500：￥7.995547 +1000：￥6.251618	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF530A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.12642 +10：￥12.623858 +100：￥9.927344 +500：￥8.143166 +1000：￥6.358865	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF530A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.539392 +10：￥12.447771 +50：￥11.374688 +100：￥9.260669 +200：￥8.659767	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRF530A ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥4.615451 +1000：￥4.594151 +5000：￥4.530018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 10 V Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）