IRL40SC209厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRL40SC209 共 18 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL40SC209 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.171014 +10：￥30.745374 +30：￥25.319734 +100：￥22.606914 +500：￥20.798327	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 478A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 267 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL40SC209 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥23.05654 +10：￥19.876704 +30：￥17.997214 +100：￥16.084941 +500：￥12.653779	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 478A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 267 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL40SC209 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.02038	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 478A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 267 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL40SC209 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥21.457043 +500：￥20.560115 +1000：￥20.032932 +3000：￥19.511885	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 478A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 267 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL40SC209 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥14.32745 +1600：￥12.26789 +2400：￥11.551485	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 478A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 267 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRL40SC209 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥35.048739 +1600：￥30.010508 +2400：￥28.257993	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 478A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 267 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRL40SC209 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥58.007607 +10：￥48.734963 +100：￥39.429458	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB 供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)
IRL40SC209 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥58.007607 +10：￥48.734963 +100：￥39.429458	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB 供应商器件封装： D2PAK (7-Lead)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL40SC209 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥65.984753 +10：￥55.858379 +25：￥54.878409 +100：￥45.078693 +250：￥38.872206	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 478A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.8 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 267 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15270 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK（7-Lead）封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL40SC209 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥26.969581	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRL40SC209参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	478A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	0.8 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	267 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	15270 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	375W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK（7-Lead）
封装/外壳:	TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）