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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFD120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥2.482014 +20：￥2.250765 +100：￥2.019527 +500：￥1.788277 +1000：￥1.680364	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 780mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFD120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.003713 +10：￥3.383765 +50：￥2.483888 +100：￥1.799875 +200：￥1.709851	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 780mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFD120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.279156	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 780mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

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IRFD120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP 下载数据手册未分类	+100：￥5.85864 +400：￥5.631618 +1500：￥5.404485 +4000：￥5.222825 +10000：￥4.995803	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 780mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFD120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP 下载数据手册未分类	+1：￥10.901813 +10：￥7.308916	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 780mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFD120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.889244 +500：￥1.857757 +1000：￥1.842013 +3000：￥1.810526	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 780mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFD120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥1.611414 +200：￥1.583631 +300：￥1.555848 +400：￥1.528065	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 780mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFD120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.025033 +50：￥1.973982 +100：￥1.939949 +300：￥1.922931	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 780mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFD120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.50306 +5000：￥1.463123	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 780mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFD120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.317654 +10：￥6.822978 +100：￥5.305787 +500：￥4.497287 +1000：￥3.66352	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 780mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFD120PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	270 毫欧 780mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	360 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	4-HVMDIP
封装/外壳:	4-DIP（0.300，7.62mm）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFD120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP 下载数据手册未分类	+100：￥5.85864 +400：￥5.631618 +1500：￥5.404485 +4000：￥5.222825 +10000：￥4.995803	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 780mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFD120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP 下载数据手册未分类	+1：￥10.901813 +10：￥7.308916	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 780mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFD120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.889244 +500：￥1.857757 +1000：￥1.842013 +3000：￥1.810526	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 780mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFD120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥1.611414 +200：￥1.583631 +300：￥1.555848 +400：￥1.528065	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 780mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFD120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.025033 +50：￥1.973982 +100：￥1.939949 +300：￥1.922931	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 780mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFD120PBF Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.50306 +5000：￥1.463123	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 780mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 360 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： 4-HVMDIP 封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）温度： -55°C # 175°C（TJ）