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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLB8314PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥40.614753 +10：￥36.581636 +30：￥34.123955	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 171A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 68A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5050 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLB8314PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.9645	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 171A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 68A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5050 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLB8314PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3 下载数据手册未分类	+50：￥29.277524	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 171A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 68A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5050 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLB8314PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.467012 +10：￥6.679208 +100：￥5.209782 +500：￥4.303877 +1000：￥3.397764	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 171A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 68A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5050 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLB8314PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.902972 +10：￥11.541649 +100：￥9.002486 +500：￥7.437085 +1000：￥5.871326	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 171A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 68A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5050 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLB8314PBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥16.190513 +10：￥14.421802 +100：￥11.292542 +500：￥9.333355 +1000：￥7.360561	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 171A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 68A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5050 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRLB8314PBF 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥4.484009 +2000：￥4.051431 +2500：￥4.010598 +3000：￥3.971041 +4000：￥3.930207	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRLB8314PBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	171A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.4 毫欧 68A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	60 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5050 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	125W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）