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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPS70R600P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.659707 +30：￥8.949434	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 1.8A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 364 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 温度： -40°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPS70R600P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.675189	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 1.8A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 364 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 温度： -40°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

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	IPS70R600P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.596521 +10：￥6.8017 +100：￥5.303497 +500：￥4.381364 +1000：￥3.458949	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 1.8A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 364 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 温度： -40°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

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	IPS70R600P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.126763 +10：￥11.753315 +100：￥9.164425 +500：￥7.570982 +1000：￥5.977054	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 1.8A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 364 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 温度： -40°C # 150°C (TJ)

Mouser

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	IPS70R600P7SAKMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3 下载数据手册未分类	+1：￥13.911715 +10：￥8.347028 +100：￥6.718726 +500：￥5.295939 +1000：￥5.248512	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ P7 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 700 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600mOhm 1.8A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 90µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 364 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 43W (Tc) 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： PG-TO251-3 封装/外壳： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 温度： -40°C # 150°C (TJ)

IPS70R600P7SAKMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	Tube
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ P7
零件状态:	Active
FET 类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.5A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	600mOhm 1.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	364 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	43W (Tc)
工作温度:	-40°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商器件封装:	PG-TO251-3
封装/外壳:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
温度:	-40°C # 150°C (TJ)