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IMH23T110_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

晶体管-双极

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¥0.932544

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¥0.79128

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¥0.5652

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 820 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 150MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

温度:

自营 现货库存
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IMH23T110_未分类
IMH23T110
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TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

未分类

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国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 820 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 150MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

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IMH23T110_晶体管-双极
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TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

晶体管-双极

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国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 820 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 150MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

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IMH23T110_null
IMH23T110
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TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 820 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 150MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

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IMH23T110_晶体管-双极
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TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

晶体管-双极

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¥0.863159

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 820 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 150MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

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Digi-Key
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TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

晶体管-双极

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¥1.739179

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¥1.633706

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¥1.528352

+30000:

¥1.491536

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 820 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 150MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

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晶体管-双极

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¥6.155546

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¥4.948112

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¥2.529692

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货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 300mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74, SOT-457

IMH23T110_晶体管-双极
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晶体管-双极

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+500:

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¥1.897211

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货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 300mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74, SOT-457

Mouser
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未分类

+1:

¥6.938792

+10:

¥5.700694

+100:

¥3.877559

+500:

¥2.911571

+1000:

¥2.190482

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 820 50mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 2.5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 150MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6

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IMH23T110参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 20V
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 820 50mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 150mV 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): -
频率 - 跃迁: 150MHz
功率 - 最大值: 300mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-74,SOT-457
供应商器件封装: SMT6
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