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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IDWD20G120C5XKSA1_二极管整流器
IDWD20G120C5XKSA1
授权代理品牌

SIC SCHOTTKY 1200V 20A TO247-2

二极管整流器

+1:

¥106.092864

+10:

¥102.038847

+30:

¥95.012613

+90:

¥88.893341

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V

电流 - 平均整流 (Io): 62A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V 20 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 166 µA 1200 V

不同 Vr、F 时电容: 1368pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-2

供应商器件封装: PG-TO247-2

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IDWD20G120C5XKSA1_二极管整流器
授权代理品牌

SIC SCHOTTKY 1200V 20A TO247-2

二极管整流器

+1:

¥72.648037

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V

电流 - 平均整流 (Io): 62A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V 20 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 166 µA 1200 V

不同 Vr、F 时电容: 1368pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-2

供应商器件封装: PG-TO247-2

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IDWD20G120C5XKSA1_二极管整流器
IDWD20G120C5XKSA1
授权代理品牌

SIC SCHOTTKY 1200V 20A TO247-2

二极管整流器

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V

电流 - 平均整流 (Io): 62A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V 20 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 166 µA 1200 V

不同 Vr、F 时电容: 1368pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-2

供应商器件封装: PG-TO247-2

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IDWD20G120C5XKSA1_二极管整流器
授权代理品牌

SIC SCHOTTKY 1200V 20A TO247-2

二极管整流器

+1:

¥144.792295

+10:

¥130.823098

+25:

¥124.742388

+100:

¥103.44432

+250:

¥97.359359

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V

电流 - 平均整流 (Io): 62A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V 20 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 166 µA 1200 V

不同 Vr、F 时电容: 1368pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-2

供应商器件封装: PG-TO247-2

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

IDWD20G120C5XKSA1_未分类
IDWD20G120C5XKSA1
授权代理品牌

DIODE SIL CARB 1.2KV 62A TO247-2

未分类

+1:

¥175.239112

+30:

¥141.839766

+120:

¥133.494754

+510:

¥120.979594

+1020:

¥110.967667

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tube

Package / Case: TO-247-2

Mounting Type: Through Hole

Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr): 0 ns

Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky

Capacitance @ Vr, F: 1368pF @ 1V, 1MHz

Current - Average Rectified (Io): 62A

Supplier Device Package: PG-TO247-2

Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A

Current - Reverse Leakage @ Vr: 166 µA @ 1200 V

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IDWD20G120C5XKSA1_未分类
IDWD20G120C5XKSA1
授权代理品牌

SIC SCHOTTKY 1200V 20A TO247-2

未分类

+1:

¥200.323743

+10:

¥176.467897

+25:

¥174.507144

+50:

¥171.402616

+100:

¥152.612053

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: CoolSiC™+

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V

电流 - 平均整流 (Io): 62A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V 20 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 166 µA 1200 V

不同 Vr、F 时电容: 1368pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-2

供应商器件封装: PG-TO247-2

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IDWD20G120C5XKSA1_未分类
IDWD20G120C5XKSA1
授权代理品牌

Diode Schottky SiC 1.2KV 62A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube

未分类

+240:

¥101.177216

+500:

¥95.837552

+1000:

¥94.618852

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IDWD20G120C5XKSA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: CoolSiC™+
零件状态: 在售
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V
电流 - 平均整流 (Io): 62A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.65 V 20 A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 166 µA 1200 V
不同 Vr、F 时电容: 1368pF 1V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-2
供应商器件封装: PG-TO247-2
工作温度 - 结: -55°C # 175°C
温度: