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	IMH3AT110 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+20：￥0.950334 +100：￥0.642631 +800：￥0.471779 +3000：￥0.341825 +6000：￥0.324764	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

自营现货库存

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	IMH3AT110 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+10：￥0.426048 +100：￥0.34912 +300：￥0.310656 +3000：￥0.281808 +6000：￥0.25873	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

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	IMH3AT110 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.307219	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

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	IMH3AT110 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 下载数据手册未分类	+3000：￥0.564313 +9000：￥0.541187 +15000：￥0.531913	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：
	IMH3AT110 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 下载数据手册未分类	+1：￥0.894627 +30：￥0.293221 +100：￥0.242313 +500：￥0.228821 +1500：￥0.220179	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

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	IMH3AT110 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 下载数据手册	+1：￥3.095568 +100：￥1.7892 +1500：￥1.134432 +3000：￥0.82008	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

自营国内现货

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	IMH3AT110 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥0.52793 +6000：￥0.51619 +9000：￥0.457201 +30000：￥0.451302 +75000：￥0.383434	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

Digi-Key

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	IMH3AT110 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥1.291456 +6000：￥1.262737 +9000：￥1.118433 +30000：￥1.104004 +75000：￥0.937981	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 2 个 NPN 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250µA，5mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：
	IMH3AT110 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥5.857912 +10：￥4.1434 +100：￥2.091704 +500：￥1.854245 +1000：￥1.443047	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 300mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-74, SOT-457
	IMH3AT110 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥5.857912 +10：￥4.1434 +100：￥2.091704 +500：￥1.854245 +1000：￥1.443047	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 300mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-74, SOT-457

IMH3AT110参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50V
电阻器 - 基极 (R1):	4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2):	-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	100 1mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA（ICBO）
频率 - 跃迁:	250MHz
功率 - 最大值:	300mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-74，SOT-457
供应商器件封装:	SMT6
温度: