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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMD3AT108 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.312625 +30：￥0.301379 +100：￥0.278888 +500：￥0.256397 +1000：￥0.245152	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

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	IMD3AT108 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	三极管(晶体管) IMD3AT108 SOT-457 下载数据手册晶体管-双极	+100：￥0.760243 +500：￥0.514129 +1000：￥0.377399 +3000：￥0.27346 +6000：￥0.259787	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

自营现货库存

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	IMD3AT108 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+5：￥0.506806 +50：￥0.414909 +150：￥0.369014	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

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	IMD3AT108 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.364331	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

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	IMD3AT108 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.564458 +200：￥0.364189 +1500：￥0.317884 +3000：￥0.281419 +45000：￥0.278062	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：
	IMD3AT108 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥0.459346 +25：￥0.385721 +100：￥0.327029 +1000：￥0.281882 +3000：￥0.243101	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMD3AT108 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 下载数据手册	+1：￥3.559392 +100：￥1.943424 +1500：￥1.18944 +3000：￥0.86112	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

自营国内现货

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	IMD3AT108 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥0.72176 +6000：￥0.656345 +9000：￥0.623012 +15000：￥0.585551 +21000：￥0.56335	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：

Digi-Key

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	IMD3AT108 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+3000：￥1.765616 +6000：￥1.605592 +9000：￥1.524051 +15000：￥1.432411 +21000：￥1.378102	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V 电阻器 - 基极 (R1)： 10 千欧电阻器 - 发射极 (R2)： 10 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250MHz 功率 - 最大值： 300mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-74，SOT-457 供应商器件封装： SMT6 温度：
	IMD3AT108 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 下载数据手册晶体管-双极	+1：￥7.95529 +10：￥4.880264 +100：￥3.104094 +500：￥2.332125 +1000：￥2.082758	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 功率-最大值： 300mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-74, SOT-457

IMD3AT108参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50V
电阻器 - 基极 (R1):	10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2):	10 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	30 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250MHz
功率 - 最大值:	300mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-74，SOT-457
供应商器件封装:	SMT6
温度: