品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 100 千欧，2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V / 82 50mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA / 300mV 100µA，1mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 300mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-74，SOT-457

供应商器件封装： SMT6

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 100 千欧，2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V / 82 50mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA / 300mV 100µA，1mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 300mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-74，SOT-457

供应商器件封装： SMT6

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 100 千欧，2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V / 82 50mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA / 300mV 100µA，1mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 300mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-74，SOT-457

供应商器件封装： SMT6

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 100 千欧，2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V / 82 50mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA / 300mV 100µA，1mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 300mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-74，SOT-457

供应商器件封装： SMT6

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 100 千欧，2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V / 82 50mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA / 300mV 100µA，1mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 300mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-74，SOT-457

供应商器件封装： SMT6

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 100 千欧，2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V / 82 50mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA / 300mV 100µA，1mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 300mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-74，SOT-457

供应商器件封装： SMT6

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 100 千欧，2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V / 82 50mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA / 300mV 100µA，1mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 300mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-74，SOT-457

供应商器件封装： SMT6

温度：

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100mA，500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V

电阻器 - 基极 (R1)： 100 千欧，2.2 千欧

电阻器 - 发射极 (R2)： 22 千欧

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1mA，5V / 82 50mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA，50mA / 300mV 100µA，1mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

频率 - 跃迁： 250MHz

功率 - 最大值： 300mW

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-74，SOT-457

供应商器件封装： SMT6

温度：