IGT60R190D1SATMA1厂家价格_数据手册

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	IGT60R190D1SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IC GAN FET 600V 23A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥88.519728	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolGaN™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1,6V 960µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： -10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 157 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55,5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-3 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IGT60R190D1SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IC GAN FET 600V 23A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolGaN™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1,6V 960µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： -10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 157 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55,5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-3 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IGT60R190D1SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IC GAN FET 600V 23A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥119.145772	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolGaN™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1,6V 960µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： -10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 157 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55,5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-3 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IGT60R190D1SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IC GAN FET 600V 23A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥185.31147 +10：￥170.364711 +25：￥163.300775 +100：￥141.230575 +250：￥136.817669	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolGaN™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-3
IGT60R190D1SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IC GAN FET 600V 23A 8HSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： CoolGaN™ 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： PG-HSOF-8-3

Mouser

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	IGT60R190D1SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IC GAN FET 600V 23A 8HSOF 下载数据手册晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolGaN™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1,6V 960µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： -10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 157 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 55,5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-HSOF-8-3 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

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	IGT60R190D1SATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R 下载数据手册未分类	+1：￥124.686739	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IGT60R190D1SATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R 下载数据手册未分类	+1：￥75.445271	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IGT60R190D1SATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+1：￥94.688521	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IGT60R190D1SATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 600V, 12.5A, 55.5W 下载数据手册未分类	+1：￥196.580022 +5：￥180.707249 +10：￥152.620929 +50：￥135.984812 +100：￥125.794734	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IGT60R190D1SATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolGaN™
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1,6V 960µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	157 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	55,5W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-HSOF-8-3
封装/外壳:	8-PowerSFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）