IRFP4310ZPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IRFP4310ZPBF 共 23 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP4310ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.904973 +5：￥20.899725 +15：￥15.341348 +25：￥11.116875 +50：￥10.561001	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6860 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP4310ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.322535	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6860 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFP4310ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC 下载数据手册未分类	+100：￥17.017723	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6860 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFP4310ZPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFP4310ZPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥16.257269 +150：￥15.632042 +270：￥13.756151 +1290：￥13.50604 +2550：￥12.505591	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFP4310ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.997249 +10：￥15.426163 +30：￥13.497908 +100：￥11.366604 +500：￥10.798326	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6860 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFP4310ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥11.014802 +100：￥10.814533 +500：￥10.714398 +1000：￥10.564255	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6860 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFP4310ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥15.025973 +400：￥13.421273	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6860 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFP4310ZPBF 授权代理品牌	IRFP4310ZPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥14.284629 +10：￥13.927502 +30：￥13.570375 +50：￥13.213247 +80：￥12.85612	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFP4310ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+25：￥12.895364 +500：￥12.672984 +1000：￥12.45072 +3000：￥12.22834	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6860 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFP4310ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.3335 +10：￥28.154574 +100：￥23.069432 +500：￥19.638471 +1000：￥17.252681	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6860 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFP4310ZPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6 毫欧 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	170 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6860 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	280W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AC
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFP4310ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC 下载数据手册未分类	+100：￥17.017723	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6860 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFP4310ZPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRFP4310ZPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥16.257269 +150：￥15.632042 +270：￥13.756151 +1290：￥13.50604 +2550：￥12.505591	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFP4310ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.997249 +10：￥15.426163 +30：￥13.497908 +100：￥11.366604 +500：￥10.798326	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6860 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFP4310ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥11.014802 +100：￥10.814533 +500：￥10.714398 +1000：￥10.564255	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6860 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFP4310ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥15.025973 +400：￥13.421273	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6860 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFP4310ZPBF 授权代理品牌	IRFP4310ZPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥14.284629 +10：￥13.927502 +30：￥13.570375 +50：￥13.213247 +80：￥12.85612	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRFP4310ZPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+25：￥12.895364 +500：￥12.672984 +1000：￥12.45072 +3000：￥12.22834	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 170 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6860 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AC 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）