IRFS7530TRLPBF厂家价格_数据手册

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	IRFS7530TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.115197	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 411 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13703 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS7530TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥38.010577 +100：￥25.704998 +400：￥18.868619 +800：￥13.672879 +1600：￥12.989229	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 411 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13703 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS7530TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 195A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥19.062782 +10：￥16.689124 +30：￥15.281734 +100：￥13.853338 +500：￥13.202158	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 411 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13703 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS7530TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.514759	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 411 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13703 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFS7530TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥12.951756	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 411 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13703 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFS7530TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥31.683428	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 411 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13703 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFS7530TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥50.397817 +10：￥45.241733 +100：￥37.069534	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
IRFS7530TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥50.397817 +10：￥45.241733 +100：￥37.069534	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFS7530TRLPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 60V 195A D2PAK 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 195A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.7V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 411 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13703 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 375W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFS7530TRLPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.7V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	411 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13703 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	375W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-2
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）