IPB033N10N5LFATMA1厂家价格_数据手册

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	IPB033N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥79.703507 +10：￥76.523672 +30：￥71.027255	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.1V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 102 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 460 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 179W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPB033N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥33.311542	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.1V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 102 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 460 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 179W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB033N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥26.128515	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.1V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 102 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 460 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 179W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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IPB033N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥45.149987	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.1V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 102 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 460 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 179W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IPB033N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥85.467394 +10：￥76.754928 +100：￥62.887193 +500：￥53.535024	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™-5 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3
IPB033N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥85.467394 +10：￥76.754928 +100：￥62.887193 +500：￥53.535024	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™-5 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3
IPB033N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.3mOhm @ 100A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.1V @ 150µA Supplier Device Package： PG-TO263-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 460 pF @ 50 V

Mouser

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	IPB033N10N5LFATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 下载数据手册未分类	+1：￥107.211129 +10：￥96.190696 +100：￥78.911745 +500：￥67.211037 +1000：￥58.9117	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.3 毫欧 100A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.1V 150µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 102 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 460 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 179W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IPB033N10N5LFATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™-5
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.3 毫欧 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.1V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	102 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	460 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	179W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）